MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SI2308BDS-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 2.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 710-3257
- Nº ref. fabric.:
- SI2308BDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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9,06 €
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10,96 €
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,453 € | 9,06 € |
| 200 - 480 | 0,34 € | 6,80 € |
| 500 - 980 | 0,317 € | 6,34 € |
| 1000 - 1980 | 0,273 € | 5,46 € |
| 2000 + | 0,226 € | 4,52 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 710-3257
- Nº ref. fabric.:
- SI2308BDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | Si2308BDS | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.192Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.66W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.3nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.4 mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Altura | 1.02mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie Si2308BDS | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.192Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.66W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.3nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.4 mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Altura 1.02mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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