MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 2.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
919-0266
Nº ref. fabric.:
SI2308BDS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

Si2308BDS

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.192Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2.3nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.66W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21

Longitud

3.04mm

Altura

1.02mm

Anchura

1.4 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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