MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHU5N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 4.4 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- Código RS:
- 204-7229
- Nº ref. fabric.:
- SIHU5N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 10 unidades)*
7,93 €
(exc. IVA)
9,60 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 20 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,793 € | 7,93 € |
| 100 - 240 | 0,70 € | 7,00 € |
| 250 - 490 | 0,682 € | 6,82 € |
| 500 - 990 | 0,664 € | 6,64 € |
| 1000 + | 0,646 € | 6,46 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 204-7229
- Nº ref. fabric.:
- SIHU5N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | IPAK | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.35Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62.5W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 6.22mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 2.39mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie E | ||
Encapsulado IPAK | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.35Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62.5W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 6.22mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 2.39mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 800 V, disipación de potencia máxima de 62,5 W - SIHU5N80AE-GE3
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de conmutación de alta tensión diseñado para funciones exigentes de conversión de potencia y control industrial. Funciona como un transistor de modo de mejora de canal N y está diseñado para montaje en PCB de orificio pasante en un encapsulado IPAK. El componente admite entornos de temperatura elevada y proporciona un rango de accionamiento de puerta claro para un comportamiento de conmutación robusto en sistemas de alimentación.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje a fuente de 800 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 4,4 A admite conducción de carga sostenida
• La baja Rds(on) de 1,35 Ω reduce las pérdidas por conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 16.5 nC permite un diseño de accionamiento de puerta eficiente
• La disipación de potencia máxima de 62.5 W permite un manejo térmico significativo
• La tensión máxima de fuente de puerta de 30 V asegura el margen de aislamiento de la puerta
• La corriente de drenaje continua de 4,4 A admite conducción de carga sostenida
• La baja Rds(on) de 1,35 Ω reduce las pérdidas por conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 16.5 nC permite un diseño de accionamiento de puerta eficiente
• La disipación de potencia máxima de 62.5 W permite un manejo térmico significativo
• La tensión máxima de fuente de puerta de 30 V asegura el margen de aislamiento de la puerta
Aplicaciones
• Apto para tareas de conmutación primaria SMPS de alta tensión
• Ideal para extremos delanteros de inversor de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza con convertidores de impulso en circuitos de factor de potencia
• Puede utilizarse para diseños de sustitución de relés de alta tensión
• Se emplea en gestión de energía y protección de fuentes de alimentación
• Ideal para extremos delanteros de inversor de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza con convertidores de impulso en circuitos de factor de potencia
• Puede utilizarse para diseños de sustitución de relés de alta tensión
• Se emplea en gestión de energía y protección de fuentes de alimentación
¿Qué temperaturas extremas puede tolerar durante el funcionamiento?
Está diseñado para funcionar en un rango de –55 a 150 °C, lo que permite su uso en entornos con gran variación térmica.
¿Qué encapsulado y estilo de montaje utiliza para el montaje en PCB?
El dispositivo se suministra en una forma IPAK y está diseñado para montaje en orificio pasante para facilitar la conducción térmica a los disipadores térmicos.
¿Qué característica de tensión directa afecta a la conducción a corrientes moderadas?
El componente presenta una tensión directa de 1,2 V, lo que es relevante a la hora de evaluar la conducción del diodo del cuerpo y las pérdidas de recuperación inversa.
¿Es adecuado el producto para aplicaciones con requisitos RoHS?
Cumple las normas RoHS, lo que permite el despliegue donde es necesario el cumplimiento de sustancias restringidas.
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 800 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 800 V JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V TO-263 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 850 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, IPAK de 3 pines