MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHU5N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 4.4 A, Mejora, IPAK de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
204-7229
Nº ref. fabric.:
SIHU5N80AE-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

IPAK

Serie

SiHU5N80AE

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.35Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.73mm

Altura

6.22mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El Vishay serie E Power MOSFET tiene una figura de mérito (FOM) Ron x QG baja y una capacitancia de entrada (CISS) baja.

Carga de compuerta (Qg) ultrabaja

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

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