MOSFET Vishay SIHB5N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 4,4 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

Código RS:: 225-9912
Nº ref. fabric.:: SIHB5N80AE-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIHB5N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 4,4 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

1,117 €

(exc. IVA)

1,352 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 90	1,117 €	11,17 €
100 - 240	1,073 €	10,73 €
250 - 490	0,95 €	9,50 €
500 - 990	0,894 €	8,94 €
1000 +	0,838 €	8,38 €

*precio indicativo

Código RS:: 225-9912
Nº ref. fabric.:: SIHB5N80AE-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Datasheet - SIHB5N80AE-GE3

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Baja capacitancia efectiva (CISS)
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Energía nominal de avalancha (UIS)
Protección ESD de diodo Zener integrada

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	800 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	E-Series
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1,3 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET Vishay SIHB5N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 4,4 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

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