MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB5N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 4.4 A, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
225-9912
Nº ref. fabric.:
SIHB5N80AE-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-263

Serie

E

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3Ω

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

15.88mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.65 mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia efectiva (CISS)

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Carga de compuerta (Qg) ultrabaja

Energía nominal de avalancha (UIS)

Protección ESD de diodo Zener integrada

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