MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 19.5 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 168-7040
- Nº ref. fabric.:
- STW25N80K5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*
124,08 €
(exc. IVA)
150,15 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 06 de julio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 + | 4,136 € | 124,08 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 168-7040
- Nº ref. fabric.:
- STW25N80K5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 19.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 260mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 40nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 20.15mm | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 19.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 260mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 40nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 15.75mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 20.15mm | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MA
MDmesh™ de canal N serie K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-247 de 3 pines