MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 11 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 103-1986
- Nº ref. fabric.:
- STW11NM80
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 60 | 2,544 € | 76,32 € |
| 90 - 480 | 2,033 € | 60,99 € |
| 510 - 960 | 1,809 € | 54,27 € |
| 990 - 4980 | 1,613 € | 48,39 € |
| 5010 + | 1,575 € | 47,25 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 103-1986
- Nº ref. fabric.:
- STW11NM80
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | MDmesh | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 400mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -65°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 43.6nC | |
| Tensión directa Vf | 0.86V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Altura | 20.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie MDmesh | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 400mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -65°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 43.6nC | ||
Tensión directa Vf 0.86V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.75mm | ||
Altura 20.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
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