MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 11 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
911-4940
Nº ref. fabric.:
SPW11N80C3FKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

CoolMOS C3

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

450mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

156W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

64nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

21.1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.16mm

Longitud

16.13mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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