MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 168-7516
- Nº ref. fabric.:
- STP60NF10
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,752 € | 37,60 € |
| 100 - 450 | 0,585 € | 29,25 € |
| 500 - 950 | 0,498 € | 24,90 € |
| 1000 - 4950 | 0,417 € | 20,85 € |
| 5000 + | 0,39 € | 19,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 168-7516
- Nº ref. fabric.:
- STP60NF10
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | STripFET II | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 23mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 104nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Altura | 15.75mm | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie STripFET II | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 23mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 104nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.4mm | ||
Altura 15.75mm | ||
Anchura 4.6 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
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