MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP80NF12, VDSS 120 V, ID 80 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 761-0184
- Nº ref. fabric.:
- STP80NF12
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
8,16 €
(exc. IVA)
9,875 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 1730 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de marzo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 1,632 € | 8,16 € |
| 10 + | 1,552 € | 7,76 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 761-0184
- Nº ref. fabric.:
- STP80NF12
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 120V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | STripFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 140nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Altura | 15.75mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie STripFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 140nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.6 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.4mm | ||
Altura 15.75mm | ||
Estándar de automoción No | ||
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-220 de 3 pines