MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP260N6F6, VDSS 60 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
760-9673
Nº ref. fabric.:
STP260N6F6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

183nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

15.75mm

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.6 mm

Estándar de automoción

No

STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics


Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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