MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 3.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
168-8630
Nº ref. fabric.:
STP5N60M2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-220

Serie

MDmesh M2

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-25, +25V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.4mm

Altura

15.75mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.6mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics


Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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