MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 12 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
168-6696
Nº ref. fabric.:
STP16N65M5
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-220

Serie

MDmesh M5

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

299mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

31nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Disipación de potencia máxima Pd

90W

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.6 mm

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

9.15mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY

MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics


El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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