MOSFET STMicroelectronics STP65N150M9, VDSS 650 V, ID 20 A, TO-220 de 3 pines

Este MOSFET de potencia de canal N se basa en la tecnología MDmesh M9 de superunión más innovadora, adecuada para MOSFET de media/alta tensión con RDS(on) muy bajo por área. La tecnología M9 basada en silicio se beneficia de un proceso de fabricación de varios drenajes que permite una estructura de dispositivo mejorada. El producto resultante tiene uno de los valores de carga de puerta y resistencia de conexión más bajos entre todos los MOSFET de potencia de superconexión de conmutación rápida basados en silicio, por lo que es especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia excepcional.