MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP65N150M9, VDSS 650 V, ID 20 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 261-4760
- Nº ref. fabric.:
- STP65N150M9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- 261-4760
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- STP65N150M9
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- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislation and Compliance
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 150mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Longitud | 28.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 150mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Longitud 28.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de potencia de canal N de 650 V, 128 mOhm típ., 20 A MDmesh M9 en un encapsulado TO-220
Este MOSFET de potencia de canal N se basa en la tecnología MDmesh M9 de superunión más innovadora, adecuada para MOSFET de media/alta tensión con RDS(on) muy bajo por área. La tecnología M9 basada en silicio se beneficia de un proceso de fabricación de varios drenajes que permite una estructura de dispositivo mejorada. El producto resultante tiene uno de los valores de carga de puerta y resistencia de conexión más bajos entre todos los MOSFET de potencia de superconexión de conmutación rápida basados en silicio, por lo que es especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia excepcional.
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