MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 239-5543
- Nº ref. fabric.:
- STP80N240K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
182,40 €
(exc. IVA)
220,70 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 08 de enero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 3,648 € | 182,40 € |
| 100 - 200 | 3,466 € | 173,30 € |
| 250 + | 3,223 € | 161,15 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 239-5543
- Nº ref. fabric.:
- STP80N240K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | STP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 140W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | UL | |
| Longitud | 28.9mm | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Altura | 4.6mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie STP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 140W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares UL | ||
Longitud 28.9mm | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Altura 4.6mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal N de muy alta tensión STMicroelectronics se ha diseñado usando la última tecnología MDmesh K6 basada en 20 años de experiencia STMicroelectronics en tecnología de súper unión. El resultado es la mejor resistencia de conexión por área y carga de puerta de su clase para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia. Este MOSFET se recomienda para topología de retorno, aplicaciones basadas en iluminación de LED, cargadores y adaptadores. Proporcionan una mayor densidad de potencia, lo que reduce el coste de la lista de materiales y el tamaño de la placa.
El mejor área RDS(on) x del mundo
Mejor FOM en todo el mundo (cifra de mérito)
Carga de compuerta ultrabaja
100 % a prueba de avalancha
Protección Zener
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-252 de 3 pines