MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP60N043DM9, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 248-9687
- Nº ref. fabric.:
- STP60N043DM9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Subtotal (1 unidad)*
7,86 €
(exc. IVA)
9,51 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 763 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 + | 7,86 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 248-9687
- Nº ref. fabric.:
- STP60N043DM9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | STP | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 245W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | UL | |
| Longitud | 28.9mm | |
| Altura | 4.6mm | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie STP | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 245W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares UL | ||
Longitud 28.9mm | ||
Altura 4.6mm | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El producto de STMicroelectronics es un MOSFET de potencia de canal N basado en la tecnología MDmesh DM9 de superconexión más innovadora, adecuado para MOSFET de media o alta tensión con RDS muy bajo por área acoplado con un diodo de recuperación rápida. La tecnología DM9 basada en silicio se beneficia de un proceso de fabricación de drenaje múltiple que permite una estructura de dispositivo mejorada. El diodo de recuperación rápida con carga de recuperación muy baja, tiempo y RDS activado hace que este MOSFET de potencia de superconexión de conmutación rápida se adapte para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de desplazamiento de fase ZVS.
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
Mejor RDS del mundo por área entre los dispositivos de recuperación rápida basados en silicio
Baja carga de puerta, capacitancia de entrada y resistencia
Probado 100 por ciento para avalancha
Extrema resistencia dv/dt
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, H2PAK-7 de 7 pines