MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
239-6329
Nº ref. fabric.:
STD86N3LH5
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

55A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-252

Serie

STD

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

45mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

70W

Tensión directa Vf

1.5V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

6.2 mm

Certificaciones y estándares

UL

Altura

2.4mm

Longitud

6.6mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El dispositivo MOSFET STMicroelectronics es un MOSFET de potencia de canal N desarrollado usando la tecnología STripFET H5 de STMicroelectronics. Este dispositivo se ha optimizado para lograr una resistencia de encendido muy baja.

RDSon de baja resistencia de conexión

Alta resistencia a avalancha

Pérdidas de potencia de accionamiento de puerta bajas

Vdss. De 30 V

ID de 80 A.

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