MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 7 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 188-8286
- Nº ref. fabric.:
- STD11N65M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 188-8286
- Nº ref. fabric.:
- STD11N65M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 680mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 100nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 85W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.17mm | |
| Anchura | 6.2 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 680mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 100nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 85W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.17mm | ||
Anchura 6.2 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the MDmesh M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high-efficiency converters.
Extremely low gate charge
Excellent output capacitance (COSS) profile
Zener-protected
Applications
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