MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 100 A, Mejora, TO-220 de 4 pines

Código RS:: 170-2323
Nº ref. fabric.:: IPP075N15N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 100 A, Mejora, TO-220 de 4 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
2 - 8	3,505 €	7,01 €
10 - 18	3,33 €	6,66 €
20 - 48	2,91 €	5,82 €
50 - 98	2,695 €	5,39 €
100 +	2,485 €	4,97 €

*precio indicativo

Código RS:: 170-2323
Nº ref. fabric.:: IPP075N15N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	100A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	150V
	Encapsulado	TO-220
	Serie	IPP075N15N3 G
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	7.7mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	300W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	70nC
	Tensión directa Vf	1V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	10.36mm
	Anchura	4.57 mm
	Altura	11.17mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 100A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V
	Encapsulado TO-220
	Serie IPP075N15N3 G
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.7mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 300W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 70nC
	Tensión directa Vf 1V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 10.36mm
	Anchura 4.57 mm
	Altura 11.17mm
	Estándar de automoción No

El OptiMOS™ de 150 V logra una reducción en R DS(on) del 40 % y del 45 % en factor de mérito (FOM) comparado con el siguiente mejor competidor. Esta drástica mejora abre nuevas posibilidades como cambiar de encapsulados con cable a encapsulados SMD o reemplazar dos piezas antiguas por una pieza OptiMOS™.

Resumen de las funciones:

Excelente rendimiento de conmutación

R DS(on) más bajo del mundo

Q g y Q gd muy bajo

Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)

Libre de halógenos

Ventajas:

Respetuosa con el medio ambiente

Mayor eficiencia

Máxima densidad de potencia

Requiere menos conexión en paralelo

Consumo de espacio en placa más bajo

Productos de fácil diseño

Aplicaciones de destino:

Rectificación síncrona para SMPS ac-dc

Control de motor para sistemas de 48 V-80 V (como vehículos domésticos, herramientas eléctricas, camiones)

Convertidores dc-dc aislados (telecomunicaciones y sistemas de comunicación de datos

Interruptores OR-ing y disyuntores en sistemas de 48 V

Amplificadores de audio de clase D

Fuentes de alimentación ininterrumpida (SAI)

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 100 A, Mejora, TO-220 de 4 pines

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