MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 150 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 913-4045
- Nº ref. fabric.:
- IRLB8743PBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
29,10 €
(exc. IVA)
35,20 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Disponible(s) 5100 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,582 € | 29,10 € |
| 100 - 200 | 0,566 € | 28,30 € |
| 250 - 450 | 0,551 € | 27,55 € |
| 500 - 1200 | 0,537 € | 26,85 € |
| 1250 + | 0,524 € | 26,20 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 913-4045
- Nº ref. fabric.:
- IRLB8743PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 150A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 140W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 9.02mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.83 mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 150A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 140W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 9.02mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.83 mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MX
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon ID 150 A, TO-220
- MOSFET Infineon IRLB4132PBF ID 150 A, TO-220
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-220 de 4 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines