Transistor MOSFET Microchip 2N7008-G, VDSS 60 V, ID 230 mA, TO-92 de 3 pines

El Microchip 2N7008 es un transistor con modo de mejora (normalmente apagado) que utiliza una estructura vertical DMOS. El diseño combina la capacidad de gestión de potencia de un transistor bipolar con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS.

Libre de ruptura secundaria
Bajos requisitos de potencia de excitación
Facilidad de funcionamiento en paralelo
Bajo C_ISS y velocidades de conmutación rápidas
Estabilidad térmica excelente
Diodo fuente-sumidero integral
Alta impedancia de entrada y ganancia alta

El transistor de modo de mejora de canal N (normalmente desactivado) Microchip 2N7008 utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente al dispositivo MOS. Este dispositivo no presenta desbordamiento térmico ni ruptura secundaria inducida térmicamente. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se desea una tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.

Libre de ruptura secundaria
Bajo requisito de potencia de excitación
Fácil conexión en paralelo
Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas
Estabilidad térmica excelente
Diodo de drenador de fuente integral
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
Sin plomo (Pb)

Transistores MOSFET, Microchip