MOSFET Microchip 2N7008-G, VDSS 60 V, ID 230 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 916-3721
- Nº ref. fabric.:
- 2N7008-G
- Fabricante:
- Microchip
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150 Disponible para entrega en 24/48 horas
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 25)
0,491 €
(exc. IVA)
0,594 €
(inc.IVA)
| unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 25 - 75 | 0,491 € | 12,275 € |
| 100 + | 0,446 € | 11,15 € |
| *precio indicativo | ||
Opciones de empaquetado:
- Código RS:
- 916-3721
- Nº ref. fabric.:
- 2N7008-G
- Fabricante:
- Microchip
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Transistores MOSFET de canal N 2N7008
El Microchip 2N7008 es un transistor con modo de mejora (normalmente apagado) que utiliza una estructura vertical DMOS. El diseño combina la capacidad de gestión de potencia de un transistor bipolar con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS.
Características
Libre de ruptura secundaria
Bajos requisitos de potencia de excitación
Facilidad de funcionamiento en paralelo
Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas
Estabilidad térmica excelente
Diodo fuente-sumidero integral
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
Bajos requisitos de potencia de excitación
Facilidad de funcionamiento en paralelo
Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas
Estabilidad térmica excelente
Diodo fuente-sumidero integral
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
Transistores MOSFET, Microchip
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 230 mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-92 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 7,5 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.5V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
| Disipación de Potencia Máxima | 1 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
| Ancho | 4.06mm |
| Longitud | 5.08mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Material del transistor | Si |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Tensión de diodo directa | 1.5V |
| Altura | 5.33mm |