MOSFET, Tipo N-Canal Microchip, VDSS 60 V, ID 350 A, Mejora, TO-92 de 3 pines
- Código RS:
- 264-8940
- Nº ref. fabric.:
- VN0106N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Subtotal (1 bolsa de 1000 unidades)*
535,00 €
(exc. IVA)
647,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 13 de marzo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bolsa* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,535 € | 535,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 264-8940
- Nº ref. fabric.:
- VN0106N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | VN0106 | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie VN0106 | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de modo de mejora (normalmente apagado) de canal P de umbral bajo de Microchip utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Libre de averías secundarias
Requisito de accionamiento de baja potencia
Fácil paralelización
Velocidades de conmutación CISS bajas y rápidas
Excelente estabilidad térmica
Diodo de drenaje de fuente integrado
Alta impedancia de entrada y alta ganancia
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET Microchip TN0106N3-G ID 350 mA , config. Simple
- MOSFET Microchip VN0104N3-G ID 350 mA , config. Simple
- MOSFET sencillos VDSS 90 V Modo de mejora, TO-92-3
- MOSFET VDSS 350 V Reducción, TO-92 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 90 V Modo de mejora, TO-92-3
- MOSFET sencillos VDSS 90 V Modo de mejora, TO-92-3
- MOSFET sencillos VDSS 90 V Modo de mejora, TO-92-3