MOSFET, Tipo N-Canal Microchip TN5325K1-G, VDSS 650 V, ID 10.3 A, Mejora, TO-92 de 3 pines
- Código RS:
- 239-5618
- Nº ref. fabric.:
- TN5325K1-G
- Fabricante:
- Microchip
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,614 € | 15,35 € |
| 50 - 75 | 0,602 € | 15,05 € |
| 100 - 225 | 0,563 € | 14,08 € |
| 250 - 975 | 0,552 € | 13,80 € |
| 1000 + | 0,541 € | 13,53 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 239-5618
- Nº ref. fabric.:
- TN5325K1-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Serie | TN5325 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 140W | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Serie TN5325 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 140W | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie Microchip TN5325 de transistores de modo de mejora (normalmente desactivado) de umbral bajo utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida.
Umbral bajo de un máximo de 2V
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
Tiempo de subida de 15 ns
Tiempo de retardo de apagado de 25 ns
Tiempo de caída de 25 ns
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