MOSFET, Tipo N-Canal Microchip, VDSS 650 V, ID 10.3 A, Mejora, TO-92 de 3 pines

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Código RS:
239-5617
Nº ref. fabric.:
TN5325K1-G
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

TN5325

Encapsulado

TO-92

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

140W

Tensión directa Vf

1.8V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie Microchip TN5325 de transistores de modo de mejora (normalmente desactivado) de umbral bajo utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida.

Umbral bajo de un máximo de 2V

Alta impedancia de entrada y ganancia alta

Tiempo de subida de 15 ns

Tiempo de retardo de apagado de 25 ns

Tiempo de caída de 25 ns

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