MOSFET Microchip TN0606N3-G, VDSS 60 V, TO-92

El MOSFET de canal N de Microchip de modo de mejora de umbral bajo (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.

Umbral bajo máximo de 2 V
Alta impedancia de entrada
Capacitancia de entrada baja típica de 100 pF
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia de conexión
Libre de averías secundarias
Baja fuga de entrada y salida