MOSFET, Tipo N-Canal Microchip TN0610N3-G, VDSS 100 V, ID 500 A, Mejora, TO-92 de 3 pines
- Código RS:
- 264-8912
- Nº ref. fabric.:
- TN0610N3-G
- Fabricante:
- Microchip
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,152 € | 5,76 € |
| 50 - 95 | 0,944 € | 4,72 € |
| 100 - 245 | 0,878 € | 4,39 € |
| 250 - 495 | 0,86 € | 4,30 € |
| 500 + | 0,84 € | 4,20 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 264-8912
- Nº ref. fabric.:
- TN0610N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 500A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | TN0610 | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 500A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie TN0610 | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N de Microchip de modo de mejora de umbral bajo (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Umbral bajo - 2,0 V máx.
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada: 100 pF típica
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia de conexión
Libre de averías secundarias
Baja fuga de entrada y salida
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