MOSFET Microchip VP2206N3-G, VDSS 60 V, ID 643 mA, TO-92 de 3 pines

La serie Microchip VP2206 consta de transistores de modo de mejora (normalmente desactivados) que utilizan una estructura DMOS vertical y el proceso de fabricación de puerta de silicio probado de Supertex. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Estos FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se desea una tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.

Tiene un desglose libre de secundario
Tiene un requisito de accionamiento de baja potencia
Ofrece una facilidad de conexión en paralelo, baja CISS y velocidades de conmutación rápidas
Tiene alta impedancia de entrada y alta ganancia con excelente estabilidad térmica
Dispone de un diodo de fuente a drenador integral