MOSFET, Tipo P-Canal Microchip, VDSS 650 V, ID 10.3 A, Mejora, TO-92 de 3 pines
- Código RS:
- 239-5620
- Nº ref. fabric.:
- VP2206N3-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Serie | VP2206 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 140W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Serie VP2206 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 140W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie Microchip VP2206 consta de transistores de modo de mejora (normalmente desactivados) que utilizan una estructura DMOS vertical y el proceso de fabricación de puerta de silicio probado de Supertex. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Estos FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se desea una tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Tiene un desglose libre de secundario
Tiene un requisito de accionamiento de baja potencia
Ofrece una facilidad de conexión en paralelo, baja CISS y velocidades de conmutación rápidas
Tiene alta impedancia de entrada y alta ganancia con excelente estabilidad térmica
Dispone de un diodo de fuente a drenador integral
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