MOSFET, Tipo P-Canal Microchip VP0109N3-G, VDSS 30 V, ID 140 A, Mejora, TO-92 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
236-8964
Nº ref. fabric.:
VP0109N3-G
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

140A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

VP0109

Encapsulado

TO-92

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.8V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.6W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El transistor de modo de mejora Microchip (normalmente desactivado) utiliza una estructura DMOS vertical y el proceso de fabricación de puerta de silicio probado de Supertex. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se desea una tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.

Libre de ruptura secundaria

Bajo requisito de potencia de excitación

Fácil conexión en paralelo

Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas

Estabilidad térmica excelente

Diodo de drenador de fuente integral

Alta impedancia de entrada y ganancia alta

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