MOSFET Microchip, Tipo P-Canal VP0109N3-G, VDSS 90 V, ID 250 mA, TO-92, Mejora de 3 pines
- Código RS:
- 236-8963
- Nº ref. fabric.:
- VP0109N3-G
- Fabricante:
- Microchip
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 236-8963
- Nº ref. fabric.:
- VP0109N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 90 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 250 mA | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 8 Ω | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Serie | VP0109 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 90 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 250 mA | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 8 Ω | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Serie VP0109 | ||
The Microchip enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. The vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain
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