MOSFET Nexperia BSH111BKR, VDSS 55 V, ID 335 mA, TO-236 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 170-4850
- Nº ref. fabric.:
- BSH111BKR
- Fabricante:
- Nexperia
13800 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
0,035 €
(exc. IVA)
0,042 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,035 € | 105,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 170-4850
- Nº ref. fabric.:
- BSH111BKR
- Fabricante:
- Nexperia
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
MOSFET de nivel de lógica y estándar en una variedad de encapsulados. Pruebe nuestros MOSFET robustos y fáciles de usar en el rango de 40 V a 60 V. Son perfectos para aplicaciones de espacio y potencia críticos y proporcionan un excelente rendimiento de conmutación y área de funcionamiento seguro (SOA) líder de su clase.
Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT363 (TO-236AB) pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET
Baja tensión de umbral
Conmutación muy rápida
Tecnología MOSFET Trench
Protección contra descargas electrostáticas (ESD) > 3 kV HBM
Controlador de relé
Controlador de línea de alta velocidad
Interruptor de carga de lado bajo
Circuitos de conmutación
Conmutación muy rápida
Tecnología MOSFET Trench
Protección contra descargas electrostáticas (ESD) > 3 kV HBM
Controlador de relé
Controlador de línea de alta velocidad
Interruptor de carga de lado bajo
Circuitos de conmutación
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 335 mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V |
| Serie | BSH111BK |
| Tipo de Encapsulado | TO-236 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 8,1 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 1.3V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 0.6V |
| Disipación de Potencia Máxima | 1,45 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | 10 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 0,5 nC a 4,5 V |
| Ancho | 1.4mm |
| Longitud | 3mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 1mm |
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