MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 55 V, ID 5.5 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:
219-4327
Nº ref. fabric.:
BUK98150-55A/CUF
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

SOT-223

Serie

BUK98150

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

161mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

15 V

Disipación de potencia máxima Pd

8W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.3nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.7mm

Altura

0.3mm

Anchura

3.7 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

Transistor de efecto campo de modo de mejora de canal N de nivel lógico Nexperia BUK98150-55A/CUF (FET) en un encapsulado de plástico usando tecnología TrenchMOS

Bajas pérdidas de conducción gracias a la baja resistencia en funcionamiento

Compatible con Q101

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