MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STN6N60M2, VDSS 25 V, ID 5.5 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:
204-9959
Nº ref. fabric.:
STN6N60M2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Encapsulado

SOT-223

Serie

STN6N60M2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.25Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

6W

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

6.48 mm

Longitud

6.8mm

Altura

1.8mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
STMicroelectronics es un MOSFET de potencia de canal N desarrollado con tecnología MDmesh M2. Gracias a su diseño de tira y a una estructura vertical mejorada, el dispositivo muestra baja resistencia de conexión y características de conmutación optimizadas, lo que lo convierte en adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.

Carga de puerta extremadamente baja

Excelente perfil de capacitancia de salida (Coss)

100 % a prueba de avalancha

Protección Zener

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