MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STN4NF20L, VDSS 200 V, ID 1 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 151-425
- Nº ref. fabric.:
- STN4NF20L
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,255 € | 5,10 € |
| 200 - 480 | 0,242 € | 4,84 € |
| 500 - 980 | 0,223 € | 4,46 € |
| 1000 - 1980 | 0,206 € | 4,12 € |
| 2000 + | 0,198 € | 3,96 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 151-425
- Nº ref. fabric.:
- STN4NF20L
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | STN | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.3W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie STN | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.3W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
La serie de MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando el proceso STripFET, que está diseñado específicamente para minimizar la capacidad de entrada y la carga de puerta. Esto hace que el dispositivo sea adecuado para usar como interruptor primario en convertidores dc a dc aislados de alta eficiencia avanzados.
Capacidad dv/dt excepcional
100 % a prueba de avalancha
Carga de puerta baja
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