MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 25 V, ID 5.5 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 204-9958
- Nº ref. fabric.:
- STN6N60M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 204-9958
- Nº ref. fabric.:
- STN6N60M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | STN6N60M2 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.25Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.48 mm | |
| Longitud | 6.8mm | |
| Altura | 1.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie STN6N60M2 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.25Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.48 mm | ||
Longitud 6.8mm | ||
Altura 1.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
STMicroelectronics es un MOSFET de potencia de canal N desarrollado con tecnología MDmesh M2. Gracias a su diseño de tira y a una estructura vertical mejorada, el dispositivo muestra baja resistencia de conexión y características de conmutación optimizadas, lo que lo convierte en adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.
Carga de puerta extremadamente baja
Excelente perfil de capacitancia de salida (Coss)
100 % a prueba de avalancha
Protección Zener
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