MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STN3NF06, VDSS 60 V, ID 4 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 233-3092
- Nº ref. fabric.:
- STN3NF06
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
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| 10 - 95 | 0,732 € | 3,66 € |
| 100 - 245 | 0,696 € | 3,48 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 233-3092
- Nº ref. fabric.:
- STN3NF06
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | STN3N | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.3W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Anchura | 7 mm | |
| Altura | 1.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie STN3N | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.3W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.5mm | ||
Anchura 7 mm | ||
Altura 1.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia STMicroelectronics es el último desarrollo del proceso basado en tiras de tamaño de característica única de STMicroelectronics. El transistor resultante muestra una densidad de encapsulado extremadamente alta para baja resistencia de conexión, características de avalancha resistente y pasos de alineación menos críticos, por lo que una reproducibilidad de fabricación notable.
Excepcional capacidad dv/dt
Tecnología resistente a avalancha
100 % a prueba de avalancha
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