MOSFET STMicroelectronics STN3P6F6, VDSS 60 V, ID 3 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 877-2949
Nº ref. fabric.:: STN3P6F6
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics STN3P6F6, VDSS 60 V, ID 3 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

3380 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

0,342 €

(exc. IVA)

0,414 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 +	0,342 €	3,42 €

*precio indicativo

Código RS:: 877-2949
Nº ref. fabric.:: STN3P6F6
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	SOT-223
Serie	STripFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	160 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	2,6 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	3.7mm
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	6.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	6,4 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.1V
Altura	1.8mm