MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics STN3P6F6, VDSS 60 V, ID 3 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:
877-2949
Nº ref. fabric.:
STN3P6F6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

STripFET

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

160mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2.6W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.7mm

Anchura

3.7 mm

Altura

1.8mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics


Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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