MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 4 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:
233-3091
Nº ref. fabric.:
STN3NF06
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

STN3N

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

3.3W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.5mm

Altura

1.6mm

Anchura

7 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia STMicroelectronics es el último desarrollo del proceso basado en tiras de tamaño de característica única de STMicroelectronics. El transistor resultante muestra una densidad de encapsulado extremadamente alta para baja resistencia de conexión, características de avalancha resistente y pasos de alineación menos críticos, por lo que una reproducibilidad de fabricación notable.

Excepcional capacidad dv/dt

Tecnología resistente a avalancha

100 % a prueba de avalancha

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