MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 4 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 233-3091
- Nº ref. fabric.:
- STN3NF06
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Subtotal (1 bobina de 4000 unidades)*
764,00 €
(exc. IVA)
924,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 36.000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,191 € | 764,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 233-3091
- Nº ref. fabric.:
- STN3NF06
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | STN3N | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.3W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Altura | 1.6mm | |
| Anchura | 7 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie STN3N | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.3W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.5mm | ||
Altura 1.6mm | ||
Anchura 7 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia STMicroelectronics es el último desarrollo del proceso basado en tiras de tamaño de característica única de STMicroelectronics. El transistor resultante muestra una densidad de encapsulado extremadamente alta para baja resistencia de conexión, características de avalancha resistente y pasos de alineación menos críticos, por lo que una reproducibilidad de fabricación notable.
Excepcional capacidad dv/dt
Tecnología resistente a avalancha
100 % a prueba de avalancha
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
