MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STN4NF20L, VDSS 200 V, ID 1 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 4000 unidades)*

1.016,00 €

(exc. IVA)

1.228,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 18 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
4000 +0,254 €1.016,00 €

*precio indicativo

Código RS:
151-424
Nº ref. fabric.:
STN4NF20L
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

SOT-223

Serie

STN

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.5Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

3.3W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.9nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
La serie de MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando el proceso STripFET, que está diseñado específicamente para minimizar la capacidad de entrada y la carga de puerta. Esto hace que el dispositivo sea adecuado para usar como interruptor primario en convertidores dc a dc aislados de alta eficiencia avanzados.

Capacidad dv/dt excepcional

100 % a prueba de avalancha

Carga de puerta baja

Enlaces relacionados