MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 30 V, ID 3.3 A, Mejora, SOT-89 de 3 pines
- Código RS:
- 170-8997
- Nº ref. fabric.:
- ZXMN3A01ZTA
- Fabricante:
- DiodesZetex
Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*
294,00 €
(exc. IVA)
356,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 23 de abril de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,147 € | 294,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 170-8997
- Nº ref. fabric.:
- ZXMN3A01ZTA
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOT-89 | |
| Serie | ZXMN3A01Z | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 180mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.95V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.12W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.6mm | |
| Anchura | 2.6 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 4.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOT-89 | ||
Serie ZXMN3A01Z | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 180mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.95V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.12W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.6mm | ||
Anchura 2.6 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 4.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N, 30 V, Diodes Inc
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-89 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-89 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOT-89 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-89 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-89 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOT-89 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-89 de 3 pines
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, SOT-89 de 3 pines