MOSFET DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 8.2 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

485,00 €

(exc. IVA)

587,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 29 de julio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2500 +0,194 €485,00 €

*precio indicativo

Código RS:
170-9039
Nº ref. fabric.:
DMC3026LSD-13
Fabricante:
DiodesZetex
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

DiodesZetex

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

29mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.7V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.6W

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Longitud

4.95mm

Certificaciones y estándares

MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020

Altura

1.5mm

Anchura

3.95 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.


Transistores MOSFET, Diodes Inc.


Enlaces relacionados