MOSFET de potencia, Tipo P-Canal International Rectifier IRF7424TRPBF, VDSS 30 V, ID 11 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 171-1923
- Nº ref. fabric.:
- IRF7424TRPBF
- Fabricante:
- International Rectifier
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 171-1923
- Nº ref. fabric.:
- IRF7424TRPBF
- Fabricante:
- International Rectifier
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | IRF7424PbF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 75nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie IRF7424PbF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 75nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
El Infineon IRF7424 es un MOSFET de potencia HEXFET de canal P sencillo de 30V V en un encapsulado SO-8. EL SO-8 se ha modificado a través de un bastidor de cable personalizado para mejorar las características térmicas y la capacidad de matriz múltiple, lo que lo convierte en ideal para una gran variedad de aplicaciones de potencia.
En conformidad con RoHS
Calidad líder del sector
Configuración de contactos estándar del sector
MOSFET de canal P.
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 30 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- International Rectifier MOSFET MOSFET 2 A PDIP 6 pines 60 V
- International Rectifier MOSFET MOSFET PVG612APBF 2 A PDIP 6 pines 60 V
- MOSFET de potencia DiodesZetex VDSS 20 V SO-8 1, config.
- MOSFET de potencia DiodesZetex VDSS 20 V SO-8 1, config. Simple
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8 de 8 pines
