MOSFET, N-Canal ROHM RQ5E025SNTL, VDSS 30 V, ID 2.5 A, Mejora, SC-96 de 3 pines
- Código RS:
- 171-9804
- Nº ref. fabric.:
- RQ5E025SNTL
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 171-9804
- Nº ref. fabric.:
- RQ5E025SNTL
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SC-96 | |
| Serie | RQ5E025SN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 118mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.8mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3mm | |
| Altura | 950μm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SC-96 | ||
Serie RQ5E025SN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 118mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.8mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3mm | ||
Altura 950μm | ||
Estándar de automoción No | ||
El RQ5E025SN es un MOSFET de señal pequeño que dispone de baja resistencia de conexión y diodo de protección G-S integrado. Es adecuado para conmutación.
Baja resistencia de encendido.
Diodo de protección G-S integrado.
Encapsulado pequeño de montaje superficial (TSMT3).
Chapado de cable sin plomo
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