MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RQ5H030TNTL, VDSS 45 V, ID 3 A, Mejora, SC-96 de 3 pines
- Código RS:
- 171-9735
- Nº ref. fabric.:
- RQ5H030TNTL
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 171-9735
- Nº ref. fabric.:
- RQ5H030TNTL
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 45V | |
| Serie | RQ5H030TN | |
| Encapsulado | SC-96 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 95mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.95mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.8mm | |
| Longitud | 3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 45V | ||
Serie RQ5H030TN | ||
Encapsulado SC-96 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 95mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.95mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.8mm | ||
Longitud 3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El RQ5H030TN es un MOSFET con diodo de protección G-S y baja conmutación de encendido, adecuado para conmutación.
Baja resistencia
Diodo de protección G-S integrado
Encapsulado pequeño de montaje superficial (TSMT3)
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