MOSFET ROHM, Tipo P-Canal QH8JB5TCR, VDSS 40 V, ID 5 A, TSMT, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 223-6205
- Nº ref. fabric.:
- QH8JB5TCR
- Fabricante:
- ROHM
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,665 € | 6,65 € |
| 50 - 90 | 0,652 € | 6,52 € |
| 100 - 240 | 0,493 € | 4,93 € |
| 250 - 990 | 0,482 € | 4,82 € |
| 1000 + | 0,39 € | 3,90 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 223-6205
- Nº ref. fabric.:
- QH8JB5TCR
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TSMT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.41Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.5W | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Altura | 0.85mm | |
| Anchura | 2.8 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TSMT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.41Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.5W | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Altura 0.85mm | ||
Anchura 2.8 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.3mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de señal pequeña ROHM tiene un tipo de encapsulado TSMT8. Se utiliza principalmente para conmutación.
Baja resistencia de encendido
Encapsulado pequeño para montaje superficial
Chapado sin plomo, conforme con RoHS
Libre de halógenos
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