MOSFET ROHM QH8K51TR, VDSS 100 V, ID 2 A, TSMT-8 de 8 pines, 2elementos

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Código RS:
172-0345
Nº ref. fabric.:
QH8K51TR
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Serie

QH8K51

Tipo de Encapsulado

TSMT-8

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

355 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1,5 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

2

Ancho

2.5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4,7 nC a 5 V

Longitud

3.1mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Altura

0.8mm

Tensión de diodo directa

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

El QH8K51 es el MOSFET de baja resistencia de encendido para aplicación de conmutación.

Baja resistencia de encendido.

Encapsulado pequeño de montaje superficial (TSMT8).

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