MOSFET ROHM, N-Canal QH8K51TR, VDSS 100 V, ID 2 A, TSMT, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

100 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

2 A

Encapsulado

TSMT

Modo de canal

Mejora

Número de pines

8

Número de elementos por chip

2

Configuración de transistor

Doble

Estándar de automoción

No

Tensión directa (Vf)

1.2 V

Altura

800 μm

Longitud

3.1 mm

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

355 mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

1.5 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tipo de montaje

Superficie

Serie

QH8K51

Certificaciones y estándares

No

Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs

4.7 nC

Anchura

2.5 mm