Nº ref. fabric.

MOSFET ROHM, Tipo N-Canal QH8K51TR, VDSS 100 V, ID 2 A, TSMT, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Código RS:: 172-0345
Nº ref. fabric.:: QH8K51TR
Fabricante:: ROHM

MOSFET ROHM, Tipo N-Canal QH8K51TR, VDSS 100 V, ID 2 A, TSMT, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

1.386,00 €

(exc. IVA)

1.677,00 €

(inc.IVA)

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Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
3000 +	0,462 €	1.386,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 172-0345
Nº ref. fabric.:: QH8K51TR
Fabricante:: ROHM

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	TSMT
	Serie	QH8K51
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	355mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	1.5W
	Tensión directa Vf	1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	4.7nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Doble
	Longitud	3.1mm
	Altura	0.8mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	2.5mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado TSMT
	Serie QH8K51
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 355mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 1.5W
	Tensión directa Vf 1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.7nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Doble
	Longitud 3.1mm
	Altura 0.8mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 2.5mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

El QH8K51 es el MOSFET de baja resistencia de encendido para aplicación de conmutación.

Baja resistencia de encendido.

Encapsulado pequeño de montaje superficial (TSMT8).

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