MOSFET ROHM, N-Canal QH8K51TR, VDSS 100 V, ID 2 A, TSMT, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
172-0345
Nº ref. fabric.:
QH8K51TR
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

QH8K51

Encapsulado

TSMT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

355mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

1.5W

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

2.5mm

Longitud

3.1mm

Altura

800μm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El QH8K51 es el MOSFET de baja resistencia de encendido para aplicación de conmutación.

Baja resistencia de encendido.

Encapsulado pequeño de montaje superficial (TSMT8).

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