MOSFET ROHM, Tipo N-Canal QH8K51TR, VDSS 100 V, ID 2 A, TSMT, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

1.386,00 €

(exc. IVA)

1.677,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,462 €1.386,00 €

*precio indicativo

Código RS:
172-0345
Nº ref. fabric.:
QH8K51TR
Fabricante:
ROHM
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TSMT

Serie

QH8K51

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

355mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.7nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Altura

0.8mm

Longitud

3.1mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El QH8K51 es el MOSFET de baja resistencia de encendido para aplicación de conmutación.

Baja resistencia de encendido.

Encapsulado pequeño de montaje superficial (TSMT8).

Enlaces relacionados