MOSFET ROHM, N-Canal RUF025N02TL, VDSS 20 V, ID 2.5 A, SOT-323, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
183-5146
Nº ref. fabric.:
RUF025N02TL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

20 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

2.5 A

Encapsulado

SOT-323

Modo de canal

Mejora

Número de pines

3

Número de elementos por chip

1

Configuración de transistor

Simple

Tensión directa (Vf)

1.2 V

Altura

820 μm

Longitud

2.1 mm

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

160 mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

800 mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tipo de montaje

Superficie

Serie

RUF025N02

Anchura

1.8 mm

COO (País de Origen):
JP
Power MOSFETs are MADE as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering Compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.

Low voltage(1.5V) drive type

Nch Small-signal MOSFET

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