MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RUF025N02TL, VDSS 20 V, ID 2.5 A, Mejora, SOT-323 de 3 pines
- Código RS:
- 183-5622
- Nº ref. fabric.:
- RUF025N02TL
- Fabricante:
- ROHM
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 30 unidades)*
9,81 €
(exc. IVA)
11,88 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 09 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 0,327 € | 9,81 € |
| 150 - 570 | 0,202 € | 6,06 € |
| 600 - 1470 | 0,197 € | 5,91 € |
| 1500 + | 0,192 € | 5,76 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 183-5622
- Nº ref. fabric.:
- RUF025N02TL
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SOT-323 | |
| Serie | RUF025N02 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 160mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 800mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.82mm | |
| Anchura | 1.8 mm | |
| Longitud | 2.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SOT-323 | ||
Serie RUF025N02 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 160mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 800mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.82mm | ||
Anchura 1.8 mm | ||
Longitud 2.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- JP
Power MOSFETs are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.
Low voltage(1.5V) drive type
Nch Small-signal MOSFET
Small Surface Mount Package
Pb Free
Enlaces relacionados
- MOSFET ROHM RUF025N02TL ID 2.5 A , config. Simple
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-323 de 3 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, SOT-323 de 3 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, SOT-323 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-323 de 3 pines
- MOSFET VDSS 50 V Mejora, SOT-323 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-323 de 3 pines
- MOSFET VDSS 50 V Mejora, SOT-323 de 3 pines
