MOSFET onsemi NVMFD5C650NLWFT1G, VDSS 60 V, ID 111 A, DFN de 8 pines, 2elementos
- Código RS:
- 172-3293
- Nº ref. fabric.:
- NVMFD5C650NLWFT1G
- Fabricante:
- onsemi
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1500)
2,343 €
(exc. IVA)
2,835 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
|---|---|---|
| 1500 + | 2,343 € | 3.514,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 172-3293
- Nº ref. fabric.:
- NVMFD5C650NLWFT1G
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponible para inspección óptica mejorada. MOSFET y capacidad PPAP ideal para aplicaciones de automoción.
Tamaño pequeño (5x6 mm)
Diseño compacto
Baja rDS(on)
Minimiza pérdidas de conducción
Baja QG y capacitancia
Minimiza las pérdidas de controlador
NVMFD5C446NLWF − Opción de flanco sumergible
Inspección óptica mejorada
Capacidad PPAP
Aplicaciones
Driver de solenoide
Controlador de lado bajo / lado alto
Controladores de motor de automoción
Sistemas de frenado antibloqueo
Diseño compacto
Baja rDS(on)
Minimiza pérdidas de conducción
Baja QG y capacitancia
Minimiza las pérdidas de controlador
NVMFD5C446NLWF − Opción de flanco sumergible
Inspección óptica mejorada
Capacidad PPAP
Aplicaciones
Driver de solenoide
Controlador de lado bajo / lado alto
Controladores de motor de automoción
Sistemas de frenado antibloqueo
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 111 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Tipo de Encapsulado | DFN |
| Serie | NVMFD5C650NL |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 5,8 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.2V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1.2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 125 W |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
| Ancho | 5.1mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Longitud | 6.1mm |
| Número de Elementos por Chip | 2 |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 37 nC a 10 V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 |
| Altura | 1.05mm |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
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